Bipolartransistor 2SD1486-R

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
• Verlustleistung, max: 70 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 80
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3PF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1486-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1486 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SD1486-P im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1486-Q im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1486-R-Transistor könnte nur mit "D1486-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1486-R ist der 2SB1055-R.Der BDP955 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1486-R-Transistors.Sie können den Transistor 2SD1486-R durch einen 2SD1487, 2SD1487-R, 2SD1488 oder 2SD1488-R ersetzen.