Bipolartransistor 2SD1487-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1487-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SD1487-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1487-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1487 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SD1487-P im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1487-Q im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1487-R-Transistor könnte nur mit "D1487-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1487-R ist der 2SB1056-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1487-R

Sie können den Transistor 2SD1487-R durch einen 2SD1488 oder 2SD1488-R ersetzen.
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