Bipolartransistor 2SD1487

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1487

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SD1487

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1487 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1487-P liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1487-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1487-R im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1487-Transistor könnte nur mit "D1487" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1487 ist der 2SB1056.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1487

Sie können den Transistor 2SD1487 durch einen 2SD1488 ersetzen.
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