Bipolartransistor 2SD1235

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1235

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD1235

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1235 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1235-Q liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD1235-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1235-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1235-Transistor könnte nur mit "D1235" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1235 ist der 2SB919.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1235

Sie können den Transistor 2SD1235 durch einen 2SC3255, 2SC3748, 2SD1062, 2SD1212, 2SD1669, BD201, BD203, BD301, BD303, BD533, BD535, BD543, BD543A, BD545, BD545A, BD795, BD797, BD807, BDT81, BDT81F oder D44H8 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com