Bipolartransistor 2SB919

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB919

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB919

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB919 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB919-Q liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB919-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB919-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB919-Transistor könnte nur mit "B919" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB919 ist der 2SD1235.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB919

Sie können den Transistor 2SB919 durch einen 2SA1291, 2SA1471, 2SB1136, 2SB826, 2SB903, BD202, BD204, BD302, BD304, BD534, BD536, BD544, BD544A, BD546, BD546A, BD796, BD798, BD808, BDT82, BDT82F oder D45H8 ersetzen.
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