Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2631-T
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 55 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 360 bis 700
Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC2631-T
Der 2SC2631-T wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC2631-T kann eine Gleichstromverstärkung von 360 bis 700 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2631 liegt im Bereich von 130 bis 330, die des 2SC2631-R im Bereich von 130 bis 220, die des 2SC2631-S im Bereich von 185 bis 330.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2631-T-Transistor könnte nur mit "C2631-T" gekennzeichnet sein.
SMD-Version des Transistors 2SC2631-T
Der KST2484 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC2631-T-Transistors.