Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2631-S
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 185 bis 330
Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC2631-S
Der 2SC2631-S wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC2631-S kann eine Gleichstromverstärkung von 185 bis 330 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2631 liegt im Bereich von 130 bis 330, die des 2SC2631-R im Bereich von 130 bis 220, die des 2SC2631-T im Bereich von 360 bis 700.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2631-S-Transistor könnte nur mit "C2631-S" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2631-S ist der 2SA1123-S.
