Bipolartransistor 2SC2631-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2631-S

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 185 bis 330
  • Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC2631-S

Der 2SC2631-S wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC2631-S kann eine Gleichstromverstärkung von 185 bis 330 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2631 liegt im Bereich von 130 bis 330, die des 2SC2631-R im Bereich von 130 bis 220, die des 2SC2631-T im Bereich von 360 bis 700.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2631-S-Transistor könnte nur mit "C2631-S" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2631-S ist der 2SA1123-S.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC2631-S

Sie können den Transistor 2SC2631-S durch einen 2SC2230, 2SC2230A, 2SC2632, 2SC2632-S, 2SC2909, 2SC2910, 2SC3245A, 2SC3332, 2SC3478, 2SC3478A, BF420 oder BF422 ersetzen.
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