Bipolartransistor 2SA1123

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 130 bis 450
• Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SA1123 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1123 kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1123-R liegt im Bereich von 130 bis 220, die des 2SA1123-S im Bereich von 185 bis 330, die des 2SA1123-T im Bereich von 260 bis 450.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1123-Transistor könnte nur mit "A1123" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1123 ist der 2SC2631.Sie können den Transistor 2SA1123 durch einen 2SA1124, BF421, BF423 oder KTA1279 ersetzen.