Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2396-E
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC2396-E
Der 2SC2396-E wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC2396-E kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2396 liegt im Bereich von 250 bis 1200, die des 2SC2396-D im Bereich von 250 bis 500, die des 2SC2396-F im Bereich von 600 bis 1200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2396-E-Transistor könnte nur mit "C2396-E" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2396-E ist der 2SA1025-E.
SMD-Version des Transistors 2SC2396-E
Der KST2484 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC2396-E-Transistors.
