Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1025-E
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1025-E
Der 2SA1025-E wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1025-E kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1025 liegt im Bereich von 250 bis 800, die des 2SA1025-D im Bereich von 250 bis 500.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1025-E-Transistor könnte nur mit "A1025-E" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1025-E ist der 2SC2396-E.
