Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1473Q
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.07 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 150
Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC1473Q
Der 2SC1473Q wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC1473Q kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1473 liegt im Bereich von 30 bis 220, die des 2SC1473P im Bereich von 30 bis 100, die des 2SC1473R im Bereich von 100 bis 220.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1473Q-Transistor könnte nur mit "C1473Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1473Q ist der 2SA1018Q.
SMD-Version des Transistors 2SC1473Q
Der BF622 (SOT-89) und BF822 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC1473Q-Transistors.
