Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1473R
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.07 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 220
Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC1473R
Der 2SC1473R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC1473R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1473 liegt im Bereich von 30 bis 220, die des 2SC1473P im Bereich von 30 bis 100, die des 2SC1473Q im Bereich von 60 bis 150.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1473R-Transistor könnte nur mit "C1473R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1473R ist der 2SA1018R.
SMD-Version des Transistors 2SC1473R
Der BF622 (SOT-89) und BF822 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC1473R-Transistors.