Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1473AQ
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.07 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 150
Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC1473AQ
Der 2SC1473AQ wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC1473AQ kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1473A liegt im Bereich von 30 bis 220, die des 2SC1473AP im Bereich von 30 bis 100, die des 2SC1473AR im Bereich von 100 bis 220.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1473AQ-Transistor könnte nur mit "C1473AQ" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1473AQ ist der 2SA1767Q.
SMD-Version des Transistors 2SC1473AQ
Der BF620 (SOT-89) und BF820 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC1473AQ-Transistors.
