Bipolartransistor 2SA695

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA695

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA695

Der 2SA695 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA695 kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA695-C liegt im Bereich von 55 bis 110, die des 2SA695-D im Bereich von 90 bis 180, die des 2SA695-E im Bereich von 150 bis 300.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA695-Transistor könnte nur mit "A695" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA695 ist der 2SC1209.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA695

Sie können den Transistor 2SA695 durch einen MPS6651, MPS6651G, MPS6652 oder MPS6652G ersetzen.
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