Bipolartransistor 2SB766A-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB766A-S

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 170 bis 340
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SB766A-S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB766A-S kann eine Gleichstromverstärkung von 170 bis 340 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB766A liegt im Bereich von 85 bis 340, die des 2SB766A-Q im Bereich von 85 bis 170, die des 2SB766A-R im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Der 2SB766A-S-Transistor ist als "BS" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB766A-S ist der 2SD874A-S.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB766A-S

Sie können den Transistor 2SB766A-S durch einen 2SB1115, 2SB1115A, 2SB1122, 2SB1123, 2SB1124, 2STF2360 oder 2STF2550 ersetzen.
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