Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1091-O
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -300 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 150
Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1091-O
Der 2SA1091-O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1091-O kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1091 liegt im Bereich von 30 bis 150, die des 2SA1091-R im Bereich von 30 bis 90.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1091-O-Transistor könnte nur mit "A1091-O" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1091-O ist der 2SC2551-O.
SMD-Version des Transistors 2SA1091-O
Der 2SA1721 (SOT-23), 2SA1721-O (SOT-23), BF621 (SOT-89), BF821 (SOT-23) und PMBTA92 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1091-O-Transistors.
