Bipolartransistor 2SA1625

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1625

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA1625

Der 2SA1625 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1625 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1625-K liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1625-L im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA1625-M im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1625-Transistor könnte nur mit "A1625" gekennzeichnet sein.

Transistor 2SA1625 im TO-92-Gehäuse

Der KSA1625 ist die TO-92-Version des 2SA1625.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1625

Sie können den Transistor 2SA1625 durch einen KSA1625 ersetzen.
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