Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1158-Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
Verlustleistung, max: 70 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3PF
Pinbelegung des 2SB1158-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1158-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1158 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB1158-P im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1158-S im Bereich von 80 bis 160.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1158-Q-Transistor könnte nur mit "B1158-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1158-Q ist der 2SD1713-Q.
SMD-Version des Transistors 2SB1158-Q
Der BDP956 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1158-Q-Transistors.
