Bipolartransistor 2SB1056

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1056

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SB1056

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1056 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1056-P liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1056-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1056-R im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1056-Transistor könnte nur mit "B1056" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1056 ist der 2SD1487.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1056

Sie können den Transistor 2SB1056 durch einen 2SB1057 ersetzen.
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