Bipolartransistor 2SA991F

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA991F

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 300 bis 600
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA991F

Der 2SA991F wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA991F kann eine Gleichstromverstärkung von 300 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA991 liegt im Bereich von 200 bis 800, die des 2SA991E im Bereich von 400 bis 800, die des 2SA991P im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA991F-Transistor könnte nur mit "A991F" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA991F ist der 2SC1844F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA991F

Sie können den Transistor 2SA991F durch einen 2SA1025, 2SA1049, 2SA1081, 2SA1082, 2SA1083, 2SA1084, 2SA1085, 2SA1269, 2SA1285, 2SA1316, 2SA970, 2SB1116A-U oder 2SB726 ersetzen.
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