Bipolartransistor 2SA991E

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA991E

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA991E

Der 2SA991E wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA991E kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA991 liegt im Bereich von 200 bis 800, die des 2SA991F im Bereich von 300 bis 600, die des 2SA991P im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA991E-Transistor könnte nur mit "A991E" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA991E ist der 2SC1844E.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA991E

Sie können den Transistor 2SA991E durch einen 2SA1025, 2SA1025-E, 2SA1081, 2SA1081-E, 2SA1082, 2SA1082-E, 2SA1083, 2SA1083-E, 2SA1084, 2SA1084-E, 2SA1085, 2SA1085-E, 2SA1285 oder 2SA1285-G ersetzen.
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