Bipolartransistor 2SA1516-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1516-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 130 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SA1516-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1516-O kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1516 liegt im Bereich von 55 bis 180, die des 2SA1516-R im Bereich von 55 bis 110.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1516-O-Transistor könnte nur mit "A1516-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1516-O ist der 2SC3907-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1516-O

Sie können den Transistor 2SA1516-O durch einen 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA1492-Y, 2SA2151, 2SA2151-Y, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SB1163, MJL4302A, MJL4302AG, MJW1302A oder MJW1302AG ersetzen.
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