Bipolartransistor 2SA1477-T

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1477-T

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.14 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126F

Pinbelegung des 2SA1477-T

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1477-T kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1477 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SA1477-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1477-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1477-T-Transistor könnte nur mit "A1477-T" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1477-T ist der 2SC3787-T.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1477-T

Sie können den Transistor 2SA1477-T durch einen 2SA1209, 2SA1209-T, 2SA1210, 2SA1210-T, 2SA1248, 2SA1248-T, 2SA1249, 2SA1249-T, 2SA1507 oder 2SA1507-T ersetzen.
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