Bipolartransistor 2SA1369-G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 400 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-89

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1369-G kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1369 liegt im Bereich von 400 bis 1200, die des 2SA1369-H im Bereich von 600 bis 1200.Der 2SA1369-G-Transistor ist als "GG" gekennzeichnet.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1369-G ist der 2SC3439-G.Sie können den Transistor 2SA1369-G durch einen 2STF2340 ersetzen.