Bipolartransistor 2SA1369

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1369

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 1200
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SA1369

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1369 kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 1200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1369-G liegt im Bereich von 400 bis 800, die des 2SA1369-H im Bereich von 600 bis 1200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1369-Transistor könnte nur mit "A1369" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1369 ist der 2SC3439.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1369

Sie können den Transistor 2SA1369 durch einen 2STF2340 ersetzen.
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