Bipolartransistor 2SC3439-G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3439-G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SC3439-G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3439-G kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3439 liegt im Bereich von 400 bis 1800, die des 2SC3439-H im Bereich von 600 bis 1200, die des 2SC3439-J im Bereich von 900 bis 1800.

Kennzeichnung

Der 2SC3439-G-Transistor ist als "HG" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3439-G ist der 2SA1369-G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3439-G

Sie können den Transistor 2SC3439-G durch einen 2STF1340 oder 2STF1550 ersetzen.
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