Bipolartransistor 2SA1369-H

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1369-H

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 600 bis 1200
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SA1369-H

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1369-H kann eine Gleichstromverstärkung von 600 bis 1200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1369 liegt im Bereich von 400 bis 1200, die des 2SA1369-G im Bereich von 400 bis 800.

Kennzeichnung

Der 2SA1369-H-Transistor ist als "GH" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1369-H ist der 2SC3439-H.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1369-H

Sie können den Transistor 2SA1369-H durch einen 2STF2340 ersetzen.
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