Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2547-D
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 500
Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC2547-D
Der 2SC2547-D wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC2547-D kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2547 liegt im Bereich von 250 bis 800, die des 2SC2547-E im Bereich von 400 bis 800.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2547-D-Transistor könnte nur mit "C2547-D" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2547-D ist der 2SA1085-D.
SMD-Version des Transistors 2SC2547-D
Der 2SC1622A (SOT-23), 2SC2713 (SOT-23), 2SC3324 (SOT-23), 2SC4117 (SOT-323) und FJV1845 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC2547-D-Transistors.
