Transistor bipolare MJE200G
Caratteristiche elettriche del transistor MJE200G
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 25 V
- Tensione massima collettore-base: 40 V
- Tensione massima emettitore-base: 8 V
- Corrente di collettore continua: 5 A
- Dissipazione di potenza: 15 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 45 a 180
- Frequenza di transizione: 65 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-126
- MJE200G 2m è la versione senza piombo del transistor MJE200
Piedinatura del MJE200G
Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJE200G
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