Transistor bipolare MJE200

• Tipo di transistor: NPN
• Tensione massima collettore-emettitore: 25 V
• Tensione massima collettore-base: 40 V
• Tensione massima emettitore-base: 8 V
• Corrente di collettore continua: 5 A
• Dissipazione di potenza: 15 W
• Guadagno di corrente CC (h_fe): da 45 a 180
• Frequenza di transizione: 65 MHz
• Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
• Tipo di pacchetto: TO-126

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.È possibile sostituire il MJE200 con i transistor KSE200 o MJE200G.Il transistor MJE200G è la versione senza piombo del MJE200.