Transistor bipolar MJE200

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 25 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
• Disipación de Potencia Máxima: 15 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 45 a 180
• Frecuencia máxima de trabajo: 65 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del MJE200 es el MJE210.Puede sustituir el MJE200 por el KSE200 o MJE200G.El transistor MJE200G es la versión sin plomo del MJE200.