Transistor bipolare MJD117-1G
Caratteristiche elettriche del transistor MJD117-1G
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -100 V
- Tensione massima collettore-base: -100 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -2 A
- Dissipazione di potenza: 20 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 1000 a 12000
- Frequenza di transizione: 25 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-251
- Electrically Similar to the Popular TIP117 transistor
- MJD117-1G 2m è la versione senza piombo del transistor MJD117-1
Piedinatura del MJD117-1G
Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJD117-1G
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