Transistor bipolar MJD127-1G
Características del transistor MJD127-1G
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
- Disipación de Potencia Máxima: 20 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 12000
- Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-251
- Electrically Similar to the Popular TIP127 transistor
- El MJD127-1G es la versión sin plomo del transistor MJD127-1
Diagrama de pines del MJD127-1G
Marcado
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor MJD127-1G
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