Transistor bipolar MJD127-1

Características del transistor MJD127-1

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 12000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-251
  • Electrically Similar to the Popular TIP127 transistor

Diagrama de pines del MJD127-1

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor MJD127-1 está marcado como "J127".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJD127-1 es el MJD122-1.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJD127-1

Puede sustituir el MJD127-1 por el MJD127-1G.

Versión sin plomo

El transistor MJD127-1G es la versión sin plomo del MJD127-1.
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