Transistor bipolare KTB1151-O
Caratteristiche elettriche del transistor KTB1151-O
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -60 V
- Tensione massima collettore-base: -60 V
- Tensione massima emettitore-base: -7 V
- Corrente di collettore continua: -5 A
- Dissipazione di potenza: 20 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 160 a 320
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SB1151-L transistor
Piedinatura del KTB1151-O
Sostituzione ed equivalenti per il transistor KTB1151-O
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