Transistor bipolar KSB1151

Características del transistor KSB1151

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 400
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1151 transistor

Diagrama de pines del KSB1151

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSB1151 puede tener una ganancia de corriente de 100 a 400. La ganancia del KSB1151-G estará en el rango de 200 a 400, para el KSB1151-O estará en el rango de 100 a 200, para el KSB1151-Y estará en el rango de 160 a 320.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KSB1151 es el KSD1691.

Versión SMD del transistor KSB1151

El BDP950 (SOT-223) es la versión SMD del transistor KSB1151.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSB1151

Puede sustituir el KSB1151 por el 2SB1151.
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