Transistor bipolar 2SB1151

Características del transistor 2SB1151

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 400
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1151

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1151 puede tener una ganancia de corriente de 100 a 400. La ganancia del 2SB1151-K estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB1151-L estará en el rango de 160 a 320, para el 2SB1151-M estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1151 puede estar marcado sólo como "B1151".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1151 es el 2SD1691.

Versión SMD del transistor 2SB1151

El BDP950 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB1151.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1151

Puede sustituir el 2SB1151 por el KSB1151.
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