Transistor bipolare 2SB630-R

Caratteristiche elettriche del transistor 2SB630-R

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -200 V
  • Tensione massima collettore-base: -200 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -2 A
  • Dissipazione di potenza: 25 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 120
  • Frequenza di transizione: 4 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220

Piedinatura del 2SB630-R

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB630-R

È possibile sostituire il 2SB630-R con i transistor 2SA1009, 2SA1009-J, 2SA1009A, 2SA1009A-J, 2SA1668, FJP1943, FJPF1943, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 o MJE5852G.
Se si riscontra un errore, si prega di inviare un'e-mail a mail@el-component.com.