Transistor bipolare 2SA1006B-Q
Caratteristiche elettriche del transistor 2SA1006B-Q
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -250 V
- Tensione massima collettore-base: -250 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -1.5 A
- Dissipazione di potenza: 25 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 100 a 200
- Frequenza di transizione: 80 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220
Piedinatura del 2SA1006B-Q
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SA1006B-Q
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