Transistor bipolaire STD01P

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
• Tension collecteur-base maximum: -150 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -10 A
• Dissipation de puissance maximum: 100 W
• Gain de courant (h_fe): 5000 à 20000
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P-5WO2

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor STD01P peut avoir un gain en courant continu de 5000 à 20000. Le gain en courant continu du STD01P-O est compris entre 5000 à 12000, celui du STD01P-Y entre 8000 à 20000.Le transistor NPN complémentaire du STD01P est le STD01N.Vous pouvez remplacer le transistor STD01P par STD02P ou STD03P.