Transistor bipolaire STD02P

Caractéristiques électriques du transistor STD02P

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -150 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 130 W
  • Gain de courant (hfe): 5000 à 20000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P-5WO2

Brochage du STD02P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor STD02P peut avoir un gain en courant continu de 5000 à 20000. Le gain en courant continu du STD02P-O est compris entre 5000 à 12000, celui du STD02P-Y entre 8000 à 20000.

Equivalent circuit

STD02P equivalent circuit

Complémentaire du transistor STD02P

Le transistor NPN complémentaire du STD02P est le STD02N.

Substituts et équivalents pour le transistor STD02P

Vous pouvez remplacer le transistor STD02P par STD03P.
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