Transistor bipolaire STD01N

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
• Tension collecteur-base maximum: 150 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 100 W
• Gain de courant (h_fe): 5000 à 20000
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P-5WO4

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor STD01N peut avoir un gain en courant continu de 5000 à 20000. Le gain en courant continu du STD01N-O est compris entre 5000 à 12000, celui du STD01N-Y entre 8000 à 20000.Le transistor PNP complémentaire du STD01N est le STD01P.Vous pouvez remplacer le transistor STD01N par STD02N ou STD03N.