Transistor bipolaire MPS751G

Caractéristiques électriques du transistor MPS751G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 75
  • Fréquence de transition minimum: 75 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Le MPS751G est la version sans plomb du transistor MPS751

Brochage du MPS751G

Le MPS751G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPS751G

Le transistor NPN complémentaire du MPS751G est le MPS651G.

Version SMD du transistor MPS751G

Le 2SB1115A (SOT-89), 2SB1115A-YP (SOT-89), 2SB1115A-YQ (SOT-89), BSP61 (SOT-223), FMMT591 (SOT-23), FMMT591Q (SOT-23) et KTA1668Y (SOT-89) est la version SMD du transistor MPS751G.

Substituts et équivalents pour le transistor MPS751G

Vous pouvez remplacer le transistor MPS751G par MPS751, ZTX792A, ZTX951 ou ZTX953.
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