Transistor bipolaire MPS751G
Caractéristiques électriques du transistor MPS751G
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -80 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -2 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 75
- Fréquence de transition minimum: 75 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Le MPS751G est la version sans plomb du transistor MPS751
Brochage du MPS751G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPS751G
Version SMD du transistor MPS751G
Substituts et équivalents pour le transistor MPS751G
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