Transistor bipolaire MPSW45G

Caractéristiques électriques du transistor MPSW45G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
  • Tension collecteur-base maximum: 50 V
  • Tension émetteur-base maximum: 12 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 25000 à 150000
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Le MPSW45G est la version sans plomb du transistor MPSW45

Brochage du MPSW45G

Le MPSW45G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Version SMD du transistor MPSW45G

Le 2SC3912 (SOT-23), 2SC3913 (SOT-23), 2SC3914 (SOT-23), 2SC3915 (SOT-23) et BSP50 (SOT-223) est la version SMD du transistor MPSW45G.

Substituts et équivalents pour le transistor MPSW45G

Vous pouvez remplacer le transistor MPSW45G par MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW45, MPSW45A, MPSW45AG, ZTX690B ou ZTX692B.
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