Transistor bipolaire MPSW45G
Caractéristiques électriques du transistor MPSW45G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
- Tension collecteur-base maximum: 50 V
- Tension émetteur-base maximum: 12 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 25000 à 150000
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Le MPSW45G est la version sans plomb du transistor MPSW45
Brochage du MPSW45G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Version SMD du transistor MPSW45G
Substituts et équivalents pour le transistor MPSW45G
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