Transistor bipolaire MPS8550S

Caractéristiques électriques du transistor MPS8550S

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 85 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular MPS8550 transistor

Brochage du MPS8550S

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor MPS8550S peut avoir un gain en courant continu de 85 à 300. Le gain en courant continu du MPS8550S-B est compris entre 85 à 160, celui du MPS8550S-C entre 120 à 200, celui du MPS8550S-D entre 160 à 300.

Complémentaire du transistor MPS8550S

Le transistor NPN complémentaire du MPS8550S est le MPS8050S.

Transistor MPS8550S en boîtier TO-92

Le MPS8550 est la version TO-92 du MPS8550S.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com