Transistor bipolaire 2SB1115A

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 2 W
• Gain de courant (h_fe): 135 à 400
• Fréquence de transition minimum: 120 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-89

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1115A peut avoir un gain en courant continu de 135 à 400. Le gain en courant continu du 2SB1115A-YP est compris entre 200 à 400, celui du 2SB1115A-YQ entre 135 à 270.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1115A peut n'être marqué que B1115A.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1115A est le 2SD1615A.