Transistor bipolaire MMBT200
Caractéristiques électriques du transistor MMBT200
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
- Tension collecteur-base maximum: -75 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 450
- Fréquence de transition minimum: 250 MHz
- Figure de bruit maximum: 5 dB
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular PN200 transistor
Brochage du MMBT200
Marquage
Complémentaire du transistor MMBT200
Transistor MMBT200 en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor MMBT200
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