Transistor bipolaire MMBT200

Caractéristiques électriques du transistor MMBT200

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -75 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 450
  • Fréquence de transition minimum: 250 MHz
  • Figure de bruit maximum: 5 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular PN200 transistor

Brochage du MMBT200

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor MMBT200 est marqué "N2".

Complémentaire du transistor MMBT200

Le transistor NPN complémentaire du MMBT200 est le MMBT100.

Transistor MMBT200 en boîtier TO-92

Le PN200 est la version TO-92 du MMBT200.

Substituts et équivalents pour le transistor MMBT200

Vous pouvez remplacer le transistor MMBT200 par 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BC807, BCW68, BCX17, FMMTA55, FMMTA56, KST55, KST56, MMBT4354, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 ou SMBTA56.
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