Transistor bipolaire MJH11017G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
• Tension collecteur-base maximum: -150 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 150 W
• Gain de courant (h_fe): 400 à 15000
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-247
• Le MJH11017G est la version sans plomb du transistor MJH11017

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJH11017G par MJH11017, MJH11019, MJH11019G, MJH11021 ou MJH11021G.