Transistor bipolaire MJH11019G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -200 V
• Tension collecteur-base maximum: -200 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 150 W
• Gain de courant (h_fe): 400 à 15000
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-247
• Le MJH11019G est la version sans plomb du transistor MJH11019

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJH11019G par MJH11019, MJH11021 ou MJH11021G.