Transistor bipolaire MJH11017

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
• Tension collecteur-base maximum: -150 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 150 W
• Gain de courant (h_fe): 400 à 15000
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-247

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJH11017 est le MJH11018.Vous pouvez remplacer le transistor MJH11017 par MJH11017G, MJH11019, MJH11019G, MJH11021 ou MJH11021G.Le transistor MJH11017G est la version sans plomb du MJH11017.